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元器件老化筛选条件和方法

日期:2019-07-12 类型:技术中心 

关键词元器件,老化,筛选,条件,和,方法,功率,老化,

  功率老化筛选条件和方法,使用企业没有统一标准,推荐几个方法:
  1)二极管可在:+100℃、 -30℃各储藏24小时。
  其阻值和常温相差大于±30%筛去不用
  2)三极管
  高温储存
  硅管: +125℃,存放24小时。
  锗管: +70℃,存放24小时。
  低温储存:
  硅、管: -40℃~-45℃, 存放24小时。
  高低温冲击:
  硅管: +125℃~-45℃;
  锗管: +70℃~-45℃;
  高低温各存放半小时,循环三次,交替时间小于一分钟。
  常温功率老化: 满功率通电8小时。
  3)数字集成电路
  直流和动态参数初测。
  高温储存: +125℃,存放72小时。
  高低温冲击: +125℃――45℃ 各存放半小时, 循环5次,交替时间不小于1分钟。
  高温功率老化: 通电带满负荷,老化温度+85℃,老化时间 72小时。
  高温动态电参数测试:电路不通电,在85℃稳定后进行动态参数复测,平均延迟时间变化不得超过20%。
  静态参数复测。